A. 半絶縁性基板とは、ヒ化ガリウムやリン化インジウム等の化合物半導体において、不純物を含まない(ドーピングされていない)基板において、高抵抗(比抵抗:数MΩ/□)を示すことを言います。
参考URL:https://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%8D%8A%E7%B5%B6%E7%B8%81%E6%80%A7%E5%9F%BA%E6%9D%BF
A. 半絶縁性基板とは、ヒ化ガリウムやリン化インジウム等の化合物半導体において、不純物を含まない(ドーピングされていない)基板において、高抵抗(比抵抗:数MΩ/□)を示すことを言います。
参考URL:https://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%8D%8A%E7%B5%B6%E7%B8%81%E6%80%A7%E5%9F%BA%E6%9D%BF
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