A. 磁気抵抗メモリは、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)という構造を利用して、不揮発性メモリとして動作します。
参考URL:https://ja.wikipedia.org/wiki/%E7%A3%81%E6%B0%97%E6%8A%B5%E6%8A%97%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA
A. 磁気抵抗メモリは、MTJ(Magnetic Tunnel Junction)という構造を利用して、不揮発性メモリとして動作します。
参考URL:https://ja.wikipedia.org/wiki/%E7%A3%81%E6%B0%97%E6%8A%B5%E6%8A%97%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA
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