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電力用半導体素子 - なんでもある Wiki

集]広禁制帯幅半導体によってシリコンを置き換える飛躍的な電力用半導体として期待される。現時点で炭化ケイ素(SiC)は最も有力である。SiC ショットキーダイオードは耐圧が1,200 Vで1,200 V JFETとして市販されている。大電流と高速性を併せ持つ。バイポーラ素子は(20

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